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元器件采购网 > S-434页 > FET - 阵列SI5943DU-T1-GE3

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SI5943DU-T1-GE3

PowerPAK? CHIPFET? 双 Vishay Siliconix 168 鐢佃瘽锛�0755-83217923
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SI5943DU-T1-GE3参数
产品类别:分离式半导体产品-FET - 阵列
说明:MOSFET DUAL P-CH 12V 6A 8PWRPAK
包装数量:3000
包装形式:带卷 (TR)
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FET 型:2 个 P 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:64 毫欧 @ 3.6A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:15nC @ 8V
输入电容 (Ciss) @ Vds:460pF @ 6V
功率 - 最大:8.3W
安装类型:表面贴装

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